王占国[中国科学院院士]+像 河南南阳市镇平县人物 王占国，男，1938年12月生，河南省镇平人，半导体材料及材料物理学家，中国科学院院士，中国科学院半导体研究所研究员、博士生导师。 王占国1962年毕业于南开大学物理系，同年到中国科学院半导体所工作。曾任中科院半导体所副所长，国家高技术新材料领域专家委员会委员、常委、功能材料专家组组长。1995年当选为中国科学院院士。 王占国长期从事半导体材料光电性质、半导体深能级和光谱物理研究，砷化镓材料与器件关系研究，半导体低维结构材料与量子器件研究等工作。 王占国是中国著名的半导体材料物理学家，中国科学院院士，河南省镇平县人。他在半导体材料研究领域取得了一系列重大成果，为中国半导体科技事业的发展做出了突出贡献。以下是其详细生平介绍： ### 贫寒出身，励志求学 1938年12月29日，王占国出生于河南省镇平县的一个贫苦农民家庭，家中七口人以种田为生。五岁时，因家境贫寒，家里没钱供他读书，邻居用草纸抄了一本课本送他，从此开启了他艰难的求学之路。 尽管生活艰苦，但王占国刻苦努力，凭借自身的勤奋与天赋，他走出了镇平，走出了南阳，最终考入了天津的南开大学物理系。进入大学后，王占国享受到了甲等助学金，国家每月除了补给他15元的伙食费外，还有4元零花钱，冬天有棉衣，夏天有蚊帐。党和政府的关爱让他心怀感激，也坚定了他回报祖国的决心。 大学期间，王占国便展现出了卓越的学术天赋与创新精神，提出了“能带扰动模型”等三个设想。1964年，南开大学在庆祝建校45周年的大会上，学校老师专门宣读了他毕业论文中的“能带扰动模型论”部分。 ### 投身科研，不畏艰险 1962年，王占国从南开大学物理系毕业后，进入中国科学院半导体研究所工作。不久后，他负责651项目相关任务，为了开展实验，他前往上海中国科学院有机化学所。当时实验条件艰苦，他们只能把实验设备安装在加速器机房的走廊上，停机时人工将试样放置在加速器的靶心处，开机后进行电子辐照。 王占国主动承担起辐照实验的任务，在一次实验中，他为了按期完成任务，不顾辐射危险坚持试验，最终手部受到X射线辐射，伤口红肿并出现大水疱。在上海中山医院诊治时，他面临着截去手指的危险，但他并不后悔，在给朋友的回信中写道，“即使失去了一只手，但能为发展我国的航天事业贡献一分力量，也无所遗憾！”。 出院后，王占国抓紧整理实验资料。1967年底，在651任务电源总体组主持召开的用于卫星的硅太阳能电池定型会上，他提出将现有的硅PN结电池改为NP结电池定型投产的建议，该建议被采纳并投产，为我国人造卫星用硅太阳电池的发展起到了关键作用。 ### 海外深造，成果卓著 1980年，由于优异的学术成绩，王占国被当时的半导体研究所所长黄昆推荐，到瑞典隆德大学国际深能级研究中心深造，跟随负责人哥尔马斯从事深能级物理和光谱物理研究。 初到瑞典时，王占国并未受到重视，被安排在一个条件极差的实验室里。但他毫不气馁，埋头阅读资料，从最基本的光学实验做起。他接手的是研究液相外延砷化镓材料中A、B两个能级的性质，通过深入研究，他发现新的结果与导师等权威人士的结论大相径庭。 为了慎重起见，王占国写信向半导体研究所所长黄昆院士和副所长林兰英院士汇报，得到了“物理学上没有不变的规律，不要迷信权威”的鼓励。于是，他再次用自己提出的测深中心上电子占有率随时间的变化新方法，对实验进行严格测量，最终得出结论：硅中金施主及金受主能级是同一缺陷的两个不同能态，解决了国际上长期以来对此问题的争论。他的研究成果得到了导师的认可和赞扬。 1983年11月，王占国学成归国。回国后，他继续在半导体材料研究领域深耕细作，先后获得中国科学院科技进步二等奖和中国科学院自然科学一等奖等多项奖励。 ### 开拓创新，引领前沿 回国后的王占国，在半导体材料研究领域不断取得新的突破。1984 - 1990年，他提出了SI - GaAs电学补偿五能级模型和电学补偿新判据，协助林兰英先生开辟了中国微重力半导体材料科学研究新领域。他利用我国发射的返地科学实验卫星，首次成功地在空间从熔体中生长出了GaAs单晶，并根据实验结果提出了“太空中由于重力驱动的溶质对流消失，可使化合物材料化学配比得以精确控制”的新观点，对化合物半导体中本征缺陷、杂质及其相互作用问题的研究具有重要指导作用。 从1993年起，王占国和合作者率先在中国开展GaAs和InP基量子点、量子线、量子点（线）超晶格材料研究。他们制备出了国际首只宽光谱量子点超辐射发光管，以及国际先进水平的大功率量子点激光器和瓦级、室温连续工作中远红外量子级联激光器。 近年来，王占国又提出了将二维石墨烯等材料作为柔性层的原子力外延技术，开拓了大失配材料体系研制的新方向，为半导体材料的发展提供了新的思路和途径。 ### 科研获奖与学术著作 王占国的科研成果丰硕，获得了众多荣誉和奖励。他曾荣获国家自然科学二等奖、国家科技进步三等奖、中国科学院自然科学一等奖、中国科学院科技进步一、二、三等奖等多项国家和省部级奖项。2001年，他还获得了何梁何利科学与技术进步奖。 在学术著作方面，他先后与合作者一起在国际学术刊物发表论文200余篇。还参与编写了《中国材料工程大典(第11 - 13卷)》《纳米半导体技术》《半导体材料研究进展》等多部学术著作，为推动半导体材料领域的学术交流和知识传播做出了贡献。 ### 人才培养与社会贡献 王占国十分重视人才培养，截至2020年6月，他先后培养硕士、博士和博士后百余名，为国家造就了一大批优秀科技人才。他秉持着实事求是、坚持真理、不盲从权威、不耻下问的科研精神，言传身教，影响了一代又一代的科研工作者。 在社会任职方面，他曾任国家高技术新材料领域专家委员会委员、常委、功能材料专家组组长，国家重点基础研究发展计划（973）材料领域咨询专家组组长等重要职务。还担任半导体材料科学重点实验室学委会主任、中国电子学会半导体和集成技术分会主任、中国材料研究学会副理事长等，同时是多所高校的特聘和兼职教授，为推动我国半导体材料学科建设和技术创新发挥了重要作用。 ### 院士风范，备受赞誉 1995年，王占国当选为中国科学院院士，这是对他在半导体材料领域卓越成就的高度认可。《半导体学报》评价他在早期职业生涯中，致力于人造卫星用硅太阳能电池辐照效应等研究，为中国的两弹一星事业做出了贡献。 中国科学院院长白春礼称赞他为中国半导体材料和材料物理研究做出了系统性和创新性的突出贡献，具有坚持不懈、锐意进取的科学精神和爱国奉献、平易近人的优秀品质。中科院副院长李树深院士也指出，王占国院士近60年来为国家半导体科技事业发展做出了突出贡献，其坚持真理的科学精神、报效祖国的爱国情操和淡泊名利的崇高品格是晚辈后学的宝贵财富。 王占国院士以其卓越的科研成就、无私的奉献精神和高尚的人格魅力，成为了中国半导体材料领域的杰出代表，他的事迹和精神将激励着更多的科研工作者为中国的科技事业发展奋勇前行。 |
