林兰英[公元1918年－2003年，中国科学院院士]+像 福建莆田市城厢区人物 林兰英（1918年2月7日—2003年3月4日），女，福建莆田人，半导体材料科学家，中国科学院学部委员，中国科学院半导体研究所研究员、博士生导师。 林兰英：中国半导体材料之母的传奇人生 在莆田城厢区的历史长河中，涌现出无数杰出人物，林兰英便是其中一颗璀璨的星辰。她以坚韧不拔的毅力、卓越的科研智慧，在半导体材料领域披荆斩棘，为中国半导体事业立下不朽功勋，被誉为“中国半导体材料之母”。她的一生，是对科学执着追求的一生，是为国家无私奉献的一生，其事迹激励着一代又一代的科研工作者奋勇前行。 童年岁月：在传统与革新间萌生求学渴望 1918年2月7日，林兰英出生于福建莆田的一个名门望族，祖上是明朝御史林润。然而，即便家族底蕴深厚，在那个传统观念根深蒂固的时代，女性求学之路依旧荆棘丛生。在林兰英幼年时，莆田当地盛行“女子无才便是德”的观念，家中长辈也希望她能遵循传统，学习女红，操持家务，将来觅得一门好亲事。但林兰英自幼便展现出与众不同的聪慧与对知识的强烈渴望，她常常趁家人不注意，偷偷跑到学堂外，听先生授课，对学堂里朗朗的读书声充满向往。 到了入学年龄，林兰英向父母提出上学的请求，却遭到了拒绝。倔强的她并未就此放弃，以绝食抗争。在她的坚持下，父母最终妥协，同意她进入莆田砺青小学读书。进入校园的林兰英如鱼得水，学习勤奋刻苦，天资聪慧的她成绩在班上一直名列前茅。在初中的六个学期里，她始终保持全年级第一名的优异成绩，成为当之无愧的优秀生，并因此免除了学杂费。这段求学历程，不仅展现了林兰英的坚毅性格，也为她日后在学术道路上的拼搏奠定了基础。 大学时光：在学术探索中崭露头角 1936年，林兰英凭借优异的成绩考入福建协和大学（福建师范大学前身）物理系。大学期间，她全身心投入到物理学的学习与研究中。当时，物理系的课程难度颇高，涉及众多复杂的理论和实验，但林兰英凭借扎实的基础知识和对物理学科的浓厚兴趣，在学习中如饥似渴地汲取知识养分。她常常在图书馆中查阅资料，直至深夜，在实验室里反复进行实验，探索物理现象背后的奥秘。 在福建协和大学的四年，林兰英不仅在学业上成绩斐然，还积极参与学校的学术活动，与老师们探讨物理学的前沿问题。她的勤奋和钻研精神得到了老师们的一致赞赏。1940年，林兰英以优异的成绩从福建协和大学物理系毕业，并因其出色的表现留校任教。在校任教的8年时间里，林兰英亲手编写《光学实验课程》的教科书，凭借扎实的教学能力和丰富的知识储备，她获得了讲师的任职资格。在教学过程中，她不仅传授知识，更注重培养学生对物理学科的兴趣和探索精神，为后来投身科研事业积累了宝贵的经验。 赴美深造：在异国他乡勇攀科学高峰 1948年，林兰英获得了赴美留学的机会，她毅然踏上了前往美国的征程，进入宾夕法尼亚州迪金森学院数学系学习。凭借在国内打下的坚实数理基础，林兰英在迪金森学院的学习游刃有余。1949年，她顺利获得迪金森学院数学学士学位，同时因其在学术上的出色表现，获得美国大学荣誉学会迪金森分会奖励的一枚金钥匙。此时，她的导师对她的学术潜力十分看好，有意推荐她到芝加哥大学数学系继续深造，但经过深思熟虑，林兰英婉言谢绝了导师的好意。 同年，林兰英进入宾夕法尼亚大学研究生院，进行固体物理的研究。在这里，她师从米勒教授，开启了在半导体材料领域的深入探索。在导师的指导下，林兰英潜心钻研，于1955年凭借论文《离子晶体缺陷的研究》获得宾夕法尼亚大学固体物理学博士学位，成为宾夕法尼亚大学建校215年以来第一位获得博士学位的中国人，也是该校有史以来的第一位女博士。她的博士论文发表于美国物理学界最具权威的《物理评论》杂志，展现出她在固体物理领域深厚的学术造诣。 博士毕业后，林兰英进入纽约长岛的索菲尼亚公司担任高级工程师，进行半导体研究。当时，该公司正在依据美国科学家研究的方法和工序拉制硅单晶，但过程屡遭挫折。林兰英凭借敏锐的观察力和深厚的专业知识，经过仔细观察和研究，不仅找出了失败的症结，而且提出了改进操作规程和设备的建议，最终使得拉制硅单晶的任务圆满完成。随后她据此发表的有关论文，如《硅的欧姆接触的制备》《锗和硅的载流子抽出电极的制备》等，因具有重要学术意义和应用价值，被美国当局列为专利技术。在索菲尼亚公司的工作经历，让林兰英积累了丰富的半导体材料实际研发经验，进一步提升了她在该领域的专业能力。 毅然归国：为新中国半导体事业奠基 1949年10月1日，新中国成立的消息传到美国，林兰英心潮澎湃，她毅然决定放弃在美国优越的科研条件和优厚的物质生活，回到祖国，投身于新中国的建设。然而，归国之路并非一帆风顺。当时，美国政府对中国留学生回国设置了重重障碍，试图阻止他们将所学知识带回中国。林兰英在申请回国时，遭到了美国移民局的多次刁难，行李被反复检查，甚至被威胁禁止离开美国。但这一切都未能动摇她回国的决心。 经过多方努力和漫长的等待，1957年1月，林兰英终于冲破重重阻碍，带着半导体新材料回到中国。她深知半导体材料对于国家工业和国防建设的重要性，回国后便立即进入中国科学院物理研究所工作。当时国内的科研条件十分艰苦，实验室设备简陋，科研经费有限，但林兰英没有丝毫抱怨，迅速投入到紧张的科研工作中。她凭借在美国积累的经验和扎实的专业知识，带领团队开始了艰苦的科研攻关。 1957年，林兰英拉制成功第一根锗单晶，这一成果为中国半导体产业的起步奠定了基础。1958年初，在她的努力下，中国的半导体收音机诞生，标志着中国半导体技术开始走向应用领域。同年国庆前夕，林兰英又成功研制出中国第一根硅单晶，使中国成为世界上第三个生产出硅单晶的国家，极大地提升了中国在半导体领域的国际地位。这些早期的科研成果，凝聚着林兰英的智慧和汗水，也为后续的研究工作树立了信心。 开拓创新：引领中国半导体材料研究新征程 随着对半导体材料研究的深入，林兰英意识到要想在半导体领域取得更大的突破，必须不断开拓创新。1960年，中国科学院半导体研究所成立，林兰英担任该所研究员，全身心投入到半导体材料的前沿研究中。她将目光从元素周期表上的锗、硅等第四家族元素，扩展到第三、五家族元素，重点开展新型材料砷化镓的研究。砷化镓是一种具有巨大发展潜力的新型半导体材料，但其熔点高且具有剧毒特性，此前众多国外科学家都先后放弃了对其的研究。然而，林兰英凭借敏锐的洞察力，看到了砷化镓在高速、高频、高温及光电器件等领域的广阔应用前景，毅然决定迎难而上。 1961年深秋，为了制造出无位错的高质量硅单晶，林兰英主持设计加工了中国第一台开门式硅单晶炉。她仔细考察、分析了苏联封闭式硅单晶炉的优缺点，结合国内实际情况，对硅单晶炉的设计进行了大胆创新。1962年春天，依靠这台自主设计的开门式硅单晶炉，林兰英成功拉制成中国第一根无位错的硅单晶，经鉴定，其无位错水平达到国际先进水平。同年，她利用这一技术优势，成功拉制出可用于微电子领域和光电子领域的砷化镓单晶，为1964年我国第一只砷化镓二极管激光器的成功问世提供了关键条件。此后，林兰英继续在砷化镓材料研究领域深耕细作，1973年，她首次提出用汽相外延和液相外延法制取砷化镓单晶。在她的带领下，团队经过多年努力，成功研制出质量好、纯度高的砷化镓单晶材料，其砷化镓汽相外延电子迁移率长期处于国际领先地位，为我国半导体光电子器件的发展提供了坚实的材料支撑。 太空探索：开创中国微重力半导体材料研究先河 20世纪80年代，随着航天技术的发展，林兰英敏锐地察觉到太空环境在半导体材料生长方面的独特优势，提出在太空生产高纯度砷化镓单晶的设想。1986年，林兰英参加德国空间材料科学研讨会，试图寻求国际合作开展太空生长砷化镓单晶研究，但却遭到国外专家的嘲笑和拒绝。面对挫折，林兰英没有退缩，她决定利用我国的返回式人造地球卫星，自力更生地发展我国的空间材料科学。 从1987年到1990年，林兰英带领研究组利用返回式卫星，成功进行了3次砷化镓单晶太空生长实验。1987年，首次采用降温凝固法成功从熔体中生长出砷化镓单晶，证明了我国从事太空熔体生长砷化镓单晶的研究工作居国际领先地位。1988年，在她的领导下，联合研究组再次在返回式卫星上成功进行了掺硅砷化镓的无坩埚区熔法的单晶生长试验，并利用这种空间材料制得了室温连续相干双异质结激光器，证明了空间材料的可用性，在国际上属于首次。1990年，由林兰英组织指导的研制组，又对广泛用于高技术领域的半绝缘砷化镓单晶成功进行了太空重熔生长单晶试验。这些太空实验的成功，开创了中国微重力半导体材料科学研究的新领域，使我国在砷化镓晶体太空生长和性质研究方面取得了令世人瞩目的成绩，林兰英也因此被誉为“中国太空材料之母”。 多元贡献：科研、教育与社会活动的全方位付出 林兰英不仅在科研领域成果丰硕，还在教育和社会活动方面作出了重要贡献。在教育上，她担任中国科学院半导体研究所研究员、博士生导师期间，言传身教，悉心指导学生。她注重培养学生的创新思维和实践能力，鼓励学生勇于探索未知领域。在她的指导下，一批又一批优秀的半导体材料专业人才脱颖而出，成为我国半导体事业发展的中坚力量。例如，她的学生王占国院士，长期致力于半导体材料的研究工作，在半导体低维结构物理与材料领域取得了一系列创新性成果，传承了林兰英的科研精神和学术理念。 在社会活动方面，林兰英积极参与各类学术交流活动，推动我国半导体领域与国际接轨。她担任了多个重要学术职务，如中国共产党第十二次全国代表大会代表、中华全国青年联合会第四届委员会副主席、第二至第四届中国科协副主席、第三至第八届全国人民代表大会代表及第三、第七、第八届全国人民代表大会常务委员会委员等。在这些岗位上，她积极为我国科技事业的发展建言献策，关注科技人才的培养和科研环境的改善。同时，作为第四次世界妇女大会中国代表团成员，林兰英提倡男女平等，在提高妇女地位、妇女受教育等问题上倾注了大量心血，是中国现代女性科学家的杰出代表。 荣誉加身：实至名归的科学丰碑 林兰英凭借其卓越的科研成就和对国家的突出贡献，赢得了众多荣誉和奖项。1985年，她荣获国家科学技术进步奖二等奖，1990年再次获得三等奖。1996年，林兰英获得何梁何利基金科学与技术进步奖，1998年获霍英东成就奖。这些荣誉是对她多年来在半导体材料研究领域辛勤耕耘的高度认可。但在林兰英看来，这些荣誉不仅属于她个人，更属于所有为中国半导体事业奋斗的科研工作者。她始终保持着谦逊的态度，将全部精力继续投入到科研和人才培养工作中。 2003年3月4日13时36分，林兰英院士因病医治无效，在北京逝世，享年85岁。她的离去是中国半导体事业的重大损失，但她留下的科研成果和精神财富，却永远激励着后人。林兰英从莆田城厢区走出来，凭借坚定的信念、顽强的毅力和卓越的智慧，在半导体材料领域创造了一个又一个奇迹。她用一生的努力，为中国半导体事业的发展奠定了坚实基础，让中国在世界半导体舞台上占据了重要的一席之地。她的故事，成为了中国科技发展史上的一段传奇，激励着一代又一代的科研工作者为实现科技强国的梦想而不懈努力。 |
