 马佐平[中国科学院院士]+像 甘肃兰州红古区人物 马佐平：微纳电子领域的卓越开拓者 马佐平，1945年11月出生于甘肃兰州，原籍浙江东阳，是一位在微纳电子领域成就斐然的杰出科学家，拥有美国国家工程院院士、中国科学院外籍院士、中国台湾“中央研究院”院士等诸多重要头衔，也是IEEE Fellow，生前任耶鲁大学Raymond John Wean讲座教授 。2021年5月，他在美国因病离世，享年77岁，但他在学术领域留下的贡献至今仍影响深远。 求学与职业发展之路 马佐平的人生轨迹充满了奋斗与探索。1949年，四岁的他随父母前往台湾。1968年，从台湾大学电机系毕业后，他远赴美国深造，开启了追求学术卓越的征程。1971年，他从美国耶鲁大学获得硕士学位，1974年又在此取得博士学位。 博士毕业后，马佐平进入国际商业机器公司（IBM）系统产品部工作，从高级副工程师逐步晋升为正工程师。1977年，他加入耶鲁大学电机系，从副教授做起，1985年晋升为教授。在耶鲁大学，他不断拓展职业版图，曾担任电机系代理系主任、系主任等重要职务，还长期担任耶鲁大学电机系微电子中心共同主任，并于2002年7月被任命为耶鲁大学Raymond John Wean讲座教授 。在学术生涯中，他还多次担任访问学者，如1983年担任美国加州大学柏克莱分校访问员，不断汲取多元学术养分。 在学术荣誉与社会任职方面，马佐平收获颇丰。1994年，他入选IEEE Fellow；2003年当选美国国家工程院院士；2005 - 2014年，担任北京大学—耶鲁大学微电子及纳米技术联合研究中心共同主任；2008年当选中国科学院外籍院士；2012年当选中国台湾“中央研究院”院士 。这些头衔与职位，不仅是对他学术地位的认可，也彰显了他在国际学术交流与合作中的重要角色。 科研与学术卓越贡献 在科研领域，马佐平是一位极具前瞻性和创新性的开拓者。自1970年起，他在超薄栅氧化硅研究中取得重大突破，率先指出隧穿电流对MOS特性的关键影响，发现辐射效应或热载子效应产生的界面陷阱与界面附近应变分布的关联，并提出“栅诱导的应变分布”模式解释实验结果，还创新地提出在栅氧化硅内掺入少量氟、氯或氮等杂质以降低辐射或热载子效应的方法。此外，他首次提出用氮化硅（Si3N4）替代二氧化硅（SiO2）作为MOS栅介质，并通过实验证实其可行性，推动了更高介电常数栅介质理念的发展，这一理念被Intel、IBM等公司应用于芯片量产 。他的研究小组还开创性地使用“非弹性电子隧道谱”（IETS）探测超薄高介电常数介质内的微结构、微缺陷及杂质，为微纳电子研究开辟了新路径。 在人才培养与学术交流方面，马佐平同样成果丰硕。在耶鲁大学，他培养了大批华裔微电子科技专家，40多位中国学生在他指导下获得博士学位。自1993年起，他几乎每年回国，频繁前往中国空间技术研究院、中国科学院等众多科研机构和高校讲学，促进学术交流。1994 - 2000年，他与中国科学院新疆物理所辐射效应小组紧密合作，助力该所成为中国半导体器件辐射效应研究的重要中心；2002 - 2005年，与清华大学共同研发先进闪存器件；2005年，与北大微电子学研究院王阳元共同成立联合研究中心，推动微电子及纳米电子领域前沿课题研究 。 马佐平的卓越成就为他赢得众多荣誉。他两次获得BFGoodrich全美国大学生发明人指导教授奖，还荣获美国洋基创新奖、Paul Rappaport奖、安德鲁·葛洛夫大奖等，是首位获得美国半导体工业协会大学研究大奖的华人 。从学术创新到人才培育，从理论突破到产业推动，马佐平用一生的努力，在微纳电子领域树立起一座不朽的丰碑，他的科研精神与学术成果，将持续激励着无数后来者在科学探索的道路上奋勇前行。 |
